§ 243.  Примесная проводимость полупроводников

Проводимость полупроводников, обуслов­ленная примесями, называется примесной проводимостью, а сами полупроводники — примесными полупроводниками. Примес­ная проводимость обусловлена примесями (атомы посторонних элементов), а также дефектами типа избыточных атомов (по сравнению со стехиометрическим соста­вом), тепловыми (пустые узлы или атомы в междоузлиях) и механическими (трещи­ны, дислокации и т. д.) дефектами. На­личие в полупроводнике примеси су­щественно изменяет его проводимость. Например, при введении в кремний при­мерно 0,001 ат.% бора его проводимость увеличивается примерно в 10^б раз.

Примесную проводимость полупровод­ников рассмотрим на примере Ge и Si, в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на единицу. Например, при замещении атома германия пятивалентным атомом мышьяка (рис. 319, а) один электрон не может образовать ковалентной связи, он оказывается лишним и может быть легко при тепловых колебаниях решетки отщеп­лен от атома, т. е. стать свободным. Обра-

 

 

391

зование свободного электрона не сопро­вождается нарушением ковалентной свя­зи; следовательно, в отличие от случая, рассмотренного в § 242, дырка не возника­ет. Избыточный положительный заряд, возникающий вблизи атома примеси, свя­зан с атомом примеси и поэтому переме­щаться по решетке не может.

С точки зрения зонной теории рассмот­ренный процесс можно представить следу­ющим образом (рис. 319, б). Введение примеси искажает поле решетки, что при­водит к возникновению в запрещенной зоне энергетического уровня D валентных электронов мышьяка, называемого при­месным уровнем. В случае германия с при­месью мышьяка этот уровень располагает­ся от дна зоны проводимости на расстоя­нии DE₀=0,013 эВ. Так как DE_D<kT, то уже при обычных температурах энергия теплового движения достаточна для того, чтобы перебросить электроны примесного уровня в зону проводимости; образующие­ся при этом положительные заряды лока­лизуются на неподвижных атомах мышь­яка и в проводимости не участвуют.

Таким образом, в полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу больше валентности основных ато­мов, носителями тока являются электро­ны; возникает электронная примесная проводимость (проводимость n-типа). По­лупроводники с такой проводимостью на­зываются электронными (или полупровод­никами n-типа). Примеси, являющиеся источником электронов, называются доно­рами, а энергетические уровни этих при­месей — донорными уровнями.

Предположим, что в решетку крем­ния введен примесный атом с тремя ва­лентными электронами, например бор (рис. 320, а). Для образования связей с четырьмя ближайшими соседями у атома бора не хватает одного электрона, одна из связей остается неукомплектованной и четвертый электрон может быть захва­чен от соседнего атома основного вещест­ва, где соответственно образуется дырка. Последовательное заполнение образую­щихся дырок электронами эквивалентно движению дырок в полупроводнике, т. е. дырки не остаются локализованными, а перемещаются в решетке кремния как свободные положительные заряды. Избы­точный же отрицательный заряд, возника­ющий вблизи атома примеси, связан с ато-

 

 

 

392

мом примеси и по решетке перемещаться не может.

По зонной теории, введение трехва­лентной примеси в решетку кремния при­водит к возникновению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня А, не занятого электронами. В случае кремния с примесью бора этот уровень располагается выше верхнего края вален­тной зоны на расстоянии DE_A = 0,08эВ (рис. 320, б). Близость этих уровней к ва­лентной зоне приводит к тому, что уже при сравнительно низких температурах элек­троны из валентной зоны переходят на примесные уровни и, связываясь с атома­ми бора, теряют способность перемещать­ся по решетке кремния, т. е. в проводимо­сти не участвуют. Носителями тока явля­ются лишь дырки, возникающие в валент­ной зоне.

Таким образом, в полупроводниках с примесью, валентность которой на едини­цу меньше валентности основных атомов, носителями тока являются дырки; возника­ет дырочная проводимость (проводимость р-типа). Полупроводники с такой проводи­мостью называются дырочными (или по­лупроводниками р-типа). Примеси, захва­тывающие электроны из валентной зоны полупроводника, называются акцептора­ми, а энергетические уровни этих приме­сей — акцепторными уровнями.

В отличие от собственной проводимо­сти, осуществляющейся одновременно электронами и дырками, примесная про­водимость полупроводников обусловлена в основном носителями одного знака: электронами—в случае донорной приме­си, дырками — в случае акцепторной. Эти носители тока называются основными. Кроме основных носителей в полупровод­нике имеются и неосновные носители: в полупроводниках n-типа — дырки, в по­лупроводниках р-типа — электроны.

Наличие примесных уровней в полу­проводниках существенно изменяет поло­жение уровня Ферми E_F. Расчеты показы­вают, что в случае полупроводников n-ти­па уровень Ферми E_F0 при 0 К расположен

посередине между дном зоны проводимо­сти и донорным уровнем (рис. 321). С повышением температуры все большее число электронов переходит из донорных состоя­ний в зону проводимости, но, помимо это­го, возрастает и число тепловых флуктуа­ции, способных возбуждать электроны из валентной зоны и перебрасывать их через запрещенную зону энергий. Поэтому при высоких температурах уровень Ферми имеет тенденцию смещаться вниз (сплош­ная кривая) к своему предельному поло­жению в центре запрещенной зоны, ха­рактерному для собственного полупро­водника.

 

Уровень Ферми в полупроводниках р-типа при 0 К E_F0 располагается посере­дине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем (рис.322). Сплошная кривая опять-таки показывает его смещение с температурой. При темпе­ратурах, при которых примесные атомы

 

 

 

393

оказываются полностью истощенными и увеличение концентрации носителей про­исходит за счет возбуждения собственных носителей, уровень Ферми располагается посередине запрещенной зоны, как в соб­ственном полупроводнике.

Проводимость примесного полупровод­ника, как и проводимость любого провод­ника, определяется концентрацией носите­лей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей ме­няется по сравнительно слабому степенно­му закону, а концентрация носителей — по очень сильному экспоненциальному за­кону, поэтому зависимость проводимости примесных полупроводников от температу­ры определяется в основном температур­ной зависимостью концентрации носите­лей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости lng от 1/Т для примесных полупроводников. Участок АВ описывает примесную проводимость по­лупроводника. Рост примесной прово­димости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном рос­том концентрации примесных носителей. Участок ВС соответствует области исто­щения примесей (это подтверждают и экс­перименты), участок CD описывает собст­венную проводимость полупроводника.