§ 250.  Полупроводниковые диоды и триоды (транзисторы)

Односторонняя проводимость контактов двух полупроводников (или металла с по­лупроводником) используется для вы­прямления и преобразования переменных токов. Если имеется один электронно-ды­рочный переход, то его действие аналогич­но действию двухэлектродной лампы — диода (см. § 105). Поэтому полупроводни­ковое устройство, содержащее один p-n-переход, называется полупроводнико­вым (кристаллическим) диодом. Полупро­водниковые диоды по конструкции делятся на точечные и плоскостные.

В качестве примера рассмотрим точеч­ный германиевый диод (рис.339), в кото­ром тонкая вольфрамовая проволока 1 прижимается к n-германию 2 острием, покрытым алюминием. Если через диод в прямом направлении пропустить крат­ковременный импульс тока, то при этом резко повышается диффузия Аl в Ge и об­разуется слой германия, обогащенный алюминием и обладающий p-проводимостью.

На границе этого слоя образуется p-n-переход, обладающий высоким коэф­фициентом выпрямления. Благодаря ма­лой емкости контактного слоя точечные диоды применяются в качестве детекторов (выпрямителей) высокочастотных колеба­ний вплоть до сантиметрового диапазона длин волн.

Принципиальная схема плоскостного меднозакисного (купроксного) выпрями­теля дана на рис. 340. На медную пласти­ну с помощью химической обработки на­ращивается слой закиси меди Cu₂O, кото­рый покрывается слоем серебра. Серебря­ный электрод служит только для включе­ния выпрямителя в цепь. Часть слоя Си₂0, прилегающая к Cu обогащенная ею, обладает электронной проводимостью, а часть слоя Cu₂O, прилегающая к Ag и обогащенная (в процессе изготовления выпрямителя) кислородом,— дырочной проводимостью. Таким образом, в толще закиси меди образуется запирающий слой с пропускным направлением тока от Cu₂O к Cu (p®n).

Технология изготовления германиево­го плоскостного диода описана в §249 (см. рис. 325). Распространенными являются также селеновые диоды и диоды на основе арсенида галлия и карбида кремния. Рассмотренные диоды обладают целым рядом преимуществ по сравнению с электронными лампами (малые габарит­ные размеры, высокие к. п. д. и срок служ­бы, постоянная готовность к работе и т. д.), но они очень чувствительны к температуре, поэтому интервал их рабо­чих температур ограничен (от -70 до +120°С). p-n-Переходы обладают не только прекрасными выпрямляющими свойствами, но могут быть использованы также для усиления, а если в схему ввести

 

 

405

обратную связь, то и для генерирования электрических колебаний. Приборы, пред­назначенные для этих целей, получили название полупроводниковых триодов или транзисторов (первый транзистор создан в 1949 г. американскими физиками Д. Бардином, У. Браттейном и У. Шокли; Нобелевская премия 1956 г.).

Для изготовления транзисторов ис­пользуются германий и кремний, так как они характеризуются большой механиче­ской прочностью, химической устойчиво­стью и большей, чем в других полупро­водниках, подвижностью носителей тока. Полупроводниковые триоды делятся на точечные и плоскостные. Первые значи­тельно усиливают напряжение, но их вы­ходные мощности малы из-за опасности перегрева (например, верхний предел ра­бочей температуры точечного германиево­го триода лежит в пределах 50—80 °С). Плоскостные триоды являются более мощ­ными. Они могут быть типа р-n-р и типа п-р-п в зависимости от чередования об­ластей с различной проводимостью.

Для примера рассмотрим принцип ра­боты плоскостного триода р-n-р, т. е. трио­да на основе n-полупроводника (рис. 341). Рабочие «электроды» триода, которыми являются база (средняя часть транзисто­ра), эмиттер и коллектор (прилегающие к базе с обеих сторон области с иным типом проводимости), включаются в схему с помощью невыпрямляющих контактов — металлических проводников. Между эмит­тером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направ­лении, а между базой и коллектором — постоянное смещающее напряжение в об­ратном направлении. Усиливаемое переменное напряжение подается на вход­ное сопротивление R_вх, а усиленное — снимается с выходного сопротивления R_вых.

 

Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок (они являются основными носителями то­ка) и сопровождается их «впрыскивани­ем» — инжекцией — в область базы. Про­никшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряжен­ному коллектору), и изменяют ток коллек­тора. Следовательно, всякое изменение то­ка в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора.

Прикладывая между эмиттером и ба­зой переменное напряжение, получим в цепи коллектора переменный ток, а на выходном сопротивлении — переменное напряжение. Величина усиления зависит от свойств р-n-переходов, нагрузочных со­противлений и напряжения батареи Б_к. Обычно R_вых>>R_вх, поэтому U_вых значи­тельно превышает входное напряжение U_вх (усиление может достигать 10000). Так как мощность переменного тока, вы­деляемая в R_вых, может быть больше, чем расходуемая в цепи эмиттера, то транзи­стор дает и усиление мощности. Эта уси­ленная мощность появляется за счет источника тока, включенного в цепь кол­лектора.

Из рассмотренного следует, что тран­зистор, подобно электронной лампе, дает усиление и напряжения и мощности. Если в лампе анодный ток управляется на­пряжением на сетке, то в транзисторе ток коллектора, соответствующий анодно­му току лампы, управляется напряжени­ем на базе.

Принцип работы транзистора n-р-n-тнпа аналогичен рассмотренному выше, но роль дырок играют электроны. Существу­ют и другие типы транзисторов, так же как и другие схемы их включения. Благо­даря своим преимуществам перед элек­тронными лампами (малые габаритные

 

 

406

размеры, высокие к. п. д. и срок службы, отсутствие накаливаемого катода (поэто­му потребление меньшей мощности), от­сутствие необходимости в вакууме и т. д.)

транзистор совершил революцию в об­ласти электронных средств связи и обеспе­чил создание быстродействующих ЭВМ с большим объемом памяти.